授業概要 |
トランジスタなどの半導体デバイスを回路素子として使いこなしたり、あるいはこれらの
デバイスの開発を志す場合、それらの動作原理を十分理解している必要がある。そのため
には半導体物理の基礎の学習が不可欠である。ここでは、固体の帯理論から始めて、pn
接合の交流特性までの物理現象を学び、さらにpn接合の作成法などの工学的側面も理解
する。
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授業計画 |
第1--2週 固体のエネルギー帯
第3週 結晶内電子の速度と有効質量
第4週 状態密度と分布関数
第5週 キャリア密度の計算
第6--7週 不純物半導体のキャリア密度とフェルミ準位
第8週 電界および磁界中でのキャリアの運動
第9週 非熱平衡にある半導体
第10週 濃度こう配によるキャリアの運動
第11週 pn接合の平衡、pn接合の製法
第12週 接合容量
第13--14週 pn接合の電圧電流特性
第15週 pn接合の交流特性
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成績評価の方法 |
筆記試験
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テキスト |
石田哲朗、清水 東、改訂 半導体素子、コロナ社、2884円(1994)
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参考書 |
グローブ、垂井康夫訳、半導体デバイスの基礎、マグロウヒル出版、3800円
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履修にあたっての留意点 |
「電子物性I」及び「電子物性II」を履修していることが望ましい。
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