授業概要 |
電子デバイスの講義として、特に、半導体デバイス(ダイオード、バイポーラトラ
ンジスタ、
MOSFET)の動作原理と応用例を中心に概説する。これらのデバイスを利用した
センサ、ディス
プレイ等が多数含まれているのが、諸君が常日頃使用している家電製品である。
第1回目は、履修にあたっての留意点、出席票の配付(氏名、学籍番号の記載)と
使い方の説明、
予習の仕方(教科書の読み方)等について述べるので、必ず、教科書を持参すること。
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授業計画 |
第1週 第5章 pn接合、拡散電位、電流−電圧特性、交流特性(p57--84)
第2週 第6章 金属と半導体の接触、金属−半導体、金属−絶縁物−半導体
(p85--95)
第3--6週 第7章 接合トランジスタの動作 、電流増幅率、高周波特性(p96--124)
第7--8週 第8章 トランジスタの等価回路とパラメータ(p125--141)
第9週 第9章 ダイオードと整流素子、第10章 負性抵抗素子 (p142--172)
第10--11週 第11章 トランジスタ各論、電界効果トランジスタ(FET)(p17
3--187)
第12--13週 第12章 光電素子、太陽電池、ホトダイオード、ルミネセンス(p18
8--215)
第14週 第13章 半導体変換素子、磁電素子、圧電素子、熱電素子(p216--233)
第15週 第14章 半導体集積回路、半導体メモリ(p234--248)
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成績評価の方法 |
筆記試験および演習、レポートの結果を総合し成績を決定する。
A.講義に1回出席し、その日の講義内容に関する質問を書くと、0.5点。
B.時々講義中に行う演習に正解すると、0.5点。
C.指定された章末問題のレポート、まとめ等を提出すると、1レポートにつき、
平均2点。
これら(A,B,C)の、合計点数は、多くても20点程度 の予定。
D.期末テストは、筆記試験で、100点満点。
A+B+C+D≧60点 が合格ラインです。
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テキスト |
石田哲郎・清水東 著、「改訂 半導体素子」、コロナ社、2884円(1994)、半導体
工学のテキスト
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参考書 |
藤井信生 著、「アナログ電子回路」、昭晃堂、2781 円(1993)
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履修にあたっての留意点 |
電子物性I、II、電気電子材料および半導体工学を履修済みで、正孔の概念、固体
のエネルギー帯、
pn接合、キャリヤの拡散、拡散方程式等に関する半導体の基礎知識を有することが
必要である。
半導体工学のテキストの後半をする予定である。
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学生へのメッセージ等 |
今後エンジニアとして仕事をする上で重要な内容である。自ら勉強する習慣を付け
るために、必ず、講義の前に教科書を読んでくること。講義は、ほぼ、上記したテキ
ストに添って行う予定である。授業開始前に出席票を受け取り、それにサイン及びそ
の日の質問を書く。これが出席点となる。
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